排気ガスソリューションとエネルギー活用技術を提供する 株式会社 ACR

先進パワーデバイスの開発

EV用SiCモジュールの開発

power_device_img01SiC(Silicon carbide,炭化ケイ素)は炭素(C)とケイ素(Si)からなる半導体で、高効率・高出力の特徴を持っています。 従来の半導体に比べ約3倍のバンドギャップ、約10倍の電界強度を持っています。
また、熱伝導性に優れ、耐熱性・耐薬品性・放射線に対する耐性も高く、EV・PHVをはじめ、電力・輸送・家電・宇宙・原子力などの分野で期待されています。

ACRでは電気自動車用の高性能SiCモジュール開発としてTPEC(つくばパワーエレクトロニクスコンステレーション)へ参加、産総研(国立研究開発法人産業技術総合研究所)と共同研究を契約し、様々な企業と技術開発を進めています。

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teec_logo TPEC(つくばパワーエレクトロニクスコンステレーション)
HP:http://www.tia-nano.jp/tpec/
aist_logo 産総研(国立研究開発法人産業技術総合研究所)
HP:http://www.aist.go.jp/aist_j/information/index.html